第三百八十五章 技术难题(1/2)
第三百八十五章“这边的这台是高密度等离子刻蚀机，这台是磁控溅射系统，还有这个，是扫描电子显微镜，这些不用说你们应该都认识。”
实验室内除了那台MOCVD之外，其余全部是一些在实验室内常见的仪器设备。
不用说顾律，连陈默都可以一眼认出来。
陈默的毕业设计课题是研究宽禁带半导体的禁带宽度和其具体物理化学性能的关系。
并且尝试将两者的关系用函数或者其他的数学语言表达出来。
除了需要GaN宽禁带半导体这个基础的材料之外，陈默还需要用实验内的一些设备，用来收集数据。
扫描电子显微镜，探针台！
这是陈默需要借用的两台设备。
刚巧，当张主任带着扫描电子显微镜所在的位置时，发现有一台显微镜是空着的。
张主任拍拍陈默的肩膀，用手指了指那个空位。
“去那台扫描电子显微镜那边，我教你一下这台仪器的具体操作细节。”
一台扫描电子显微镜的造价很高昂。
陈默之前在浙大读研的时候操作过几次。
但使用扫描电子显微镜观察宽禁带半导体还是第一次。
显微镜的一些基础的参数设置并不清楚。
这就需要张主任来指导一番了。
张主任一边操作着一边为陈默讲解，“在观察GaN宽禁带半导体的时候，我们一般采用的场深是3.2纳米，作用提及选择0.85纳米的厚度，还有放大率…”
扫描电子显微镜可以通过对二次电子、背散射电子的采集，可得到宽禁带半导体微观形貌的信息。
而通过对x射线的采集，可得到宽禁带半导体化学成分的信息。
是非常实用的一台设备。
在张主任的教导下，陈默上手的很快。
几分钟的功夫就可以独自操作完成。
“那你在这边继续熟练一下，探针台那边还有人再用，待会儿我再带你去操作一下。”张主任拍拍陈默的肩膀，然后起身走到正在旁边的高真空电子束蒸发机前站着的顾律。
“你这位学生悟性不错啊！”张主任笑着夸赞道。
顾律微微淡笑，“毕竟是个博士生，这点简单操作要是需要学很久那才不正常。”
顾律略过这个话题，指着面前的这台高真空电子水蒸发机，笑着问道，“张主任，这台设备你们也改良过了？”
“真的是什么都瞒不过你。”张主任摸摸自己的大光头，哈哈一笑，“这台设备和那块MOCVD一块改装的，顾律，我和你说…”
张主任又开始滔滔不绝的给顾律介绍这台设备的具体改装细节。
顾律边认真听边频频点头。
这些知识，是他之前很少接触过的。
他只知道这些设备的原型机内部是什么构造，运行机理是什么。
但面对这种改装后的设备，就双眼一抹黑了。
就在张主任在这边和顾律聊天的时候，一位研究员拿着一个文件夹脚步匆匆的向张主任走过来。
“张主任。”
研究员戴着圆框眼镜，地中海发型，由于戴着口罩，顾律判断不出具体的年纪。
但听声音，应该是三十多岁。
“哦，是方教授啊！”张主任视线落在那位研究员身上，笑呵呵的为顾律介绍道，“这位是我们半导体的研究中心的方庆教授，主要负责半导体掺杂调控这一部分的研究内容。”
“方教授，给你介绍一下，这位是隔壁数学院的顾律顾教授。”
“你好你好！”
“久仰久仰！”
两人简单的握了个手。
“方教授，你过来找我有什么事吗？”张主任笑呵呵的开口问道。
“哦。”方教授把手中的文件夹递给张主任，沉声开口，“张主任，最新一次的测量结果出来了。”
张主任结果文件夹，打开后扫了一眼，眉头紧紧皱起，“还是不行吗？”
方教授苦笑着摇摇头，“还是不行，我们还是没有找到证据证明，C杂质在GaN中的晶格位置。”
“唉！”张主任听后长叹口气，“这么久的努力，原来都是做了无用功啊！”
顾律在一旁看着长吁短叹的两人，犹豫了一下开口问道，“张主任，你们是遇到了什么难题了吗？”
张主任没有隐瞒。
“准确的说，不是我们研究所遇到了什么难题，而是整个宽禁带半导体领域都遇到了一个难题。”
张主任开始为顾律讲述起这个难题的详细情况。
在目前的半导体领域，掺杂调控是氮化物半导体材料和器件发展的关键科学和技术问题。
通过C掺杂获得半绝缘GaN是当前研制GaN基电子器件的主流方法。
但作为IV族元素，C杂质在GaN中具有两性特征，既可替代N原子，也可替代Ga原子，或者与其他杂质和缺陷形成复合体，使GaN中C的掺杂机理非常复杂，成为近年来氮化物半导体电子材料和器件领域关注的焦点问题之一。
所以说，确定C杂质在GaN中的晶格位置是一个相当亟待解决的难题。
燕大的半导体研究中心作为GaN宽禁带半导体领域国内知名研究机构之一，理所当然的向该难题发起了冲击。
但结果…
就如同刚刚顾律所见到的那样，测量结果失败，该技术难题依旧存在
实验室内除了那台MOCVD之外，其余全部是一些在实验室内常见的仪器设备。
不用说顾律，连陈默都可以一眼认出来。
陈默的毕业设计课题是研究宽禁带半导体的禁带宽度和其具体物理化学性能的关系。
并且尝试将两者的关系用函数或者其他的数学语言表达出来。
除了需要GaN宽禁带半导体这个基础的材料之外，陈默还需要用实验内的一些设备，用来收集数据。
扫描电子显微镜，探针台！
这是陈默需要借用的两台设备。
刚巧，当张主任带着扫描电子显微镜所在的位置时，发现有一台显微镜是空着的。
张主任拍拍陈默的肩膀，用手指了指那个空位。
“去那台扫描电子显微镜那边，我教你一下这台仪器的具体操作细节。”
一台扫描电子显微镜的造价很高昂。
陈默之前在浙大读研的时候操作过几次。
但使用扫描电子显微镜观察宽禁带半导体还是第一次。
显微镜的一些基础的参数设置并不清楚。
这就需要张主任来指导一番了。
张主任一边操作着一边为陈默讲解，“在观察GaN宽禁带半导体的时候，我们一般采用的场深是3.2纳米，作用提及选择0.85纳米的厚度，还有放大率…”
扫描电子显微镜可以通过对二次电子、背散射电子的采集，可得到宽禁带半导体微观形貌的信息。
而通过对x射线的采集，可得到宽禁带半导体化学成分的信息。
是非常实用的一台设备。
在张主任的教导下，陈默上手的很快。
几分钟的功夫就可以独自操作完成。
“那你在这边继续熟练一下，探针台那边还有人再用，待会儿我再带你去操作一下。”张主任拍拍陈默的肩膀，然后起身走到正在旁边的高真空电子束蒸发机前站着的顾律。
“你这位学生悟性不错啊！”张主任笑着夸赞道。
顾律微微淡笑，“毕竟是个博士生，这点简单操作要是需要学很久那才不正常。”
顾律略过这个话题，指着面前的这台高真空电子水蒸发机，笑着问道，“张主任，这台设备你们也改良过了？”
“真的是什么都瞒不过你。”张主任摸摸自己的大光头，哈哈一笑，“这台设备和那块MOCVD一块改装的，顾律，我和你说…”
张主任又开始滔滔不绝的给顾律介绍这台设备的具体改装细节。
顾律边认真听边频频点头。
这些知识，是他之前很少接触过的。
他只知道这些设备的原型机内部是什么构造，运行机理是什么。
但面对这种改装后的设备，就双眼一抹黑了。
就在张主任在这边和顾律聊天的时候，一位研究员拿着一个文件夹脚步匆匆的向张主任走过来。
“张主任。”
研究员戴着圆框眼镜，地中海发型，由于戴着口罩，顾律判断不出具体的年纪。
但听声音，应该是三十多岁。
“哦，是方教授啊！”张主任视线落在那位研究员身上，笑呵呵的为顾律介绍道，“这位是我们半导体的研究中心的方庆教授，主要负责半导体掺杂调控这一部分的研究内容。”
“方教授，给你介绍一下，这位是隔壁数学院的顾律顾教授。”
“你好你好！”
“久仰久仰！”
两人简单的握了个手。
“方教授，你过来找我有什么事吗？”张主任笑呵呵的开口问道。
“哦。”方教授把手中的文件夹递给张主任，沉声开口，“张主任，最新一次的测量结果出来了。”
张主任结果文件夹，打开后扫了一眼，眉头紧紧皱起，“还是不行吗？”
方教授苦笑着摇摇头，“还是不行，我们还是没有找到证据证明，C杂质在GaN中的晶格位置。”
“唉！”张主任听后长叹口气，“这么久的努力，原来都是做了无用功啊！”
顾律在一旁看着长吁短叹的两人，犹豫了一下开口问道，“张主任，你们是遇到了什么难题了吗？”
张主任没有隐瞒。
“准确的说，不是我们研究所遇到了什么难题，而是整个宽禁带半导体领域都遇到了一个难题。”
张主任开始为顾律讲述起这个难题的详细情况。
在目前的半导体领域，掺杂调控是氮化物半导体材料和器件发展的关键科学和技术问题。
通过C掺杂获得半绝缘GaN是当前研制GaN基电子器件的主流方法。
但作为IV族元素，C杂质在GaN中具有两性特征，既可替代N原子，也可替代Ga原子，或者与其他杂质和缺陷形成复合体，使GaN中C的掺杂机理非常复杂，成为近年来氮化物半导体电子材料和器件领域关注的焦点问题之一。
所以说，确定C杂质在GaN中的晶格位置是一个相当亟待解决的难题。
燕大的半导体研究中心作为GaN宽禁带半导体领域国内知名研究机构之一，理所当然的向该难题发起了冲击。
但结果…
就如同刚刚顾律所见到的那样，测量结果失败，该技术难题依旧存在
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